為邏輯晶片和存儲晶片等應用提供高性價比的蝕刻解決方案
上海2021年3月16日 /美通社/ — 中微半導體設備（上海）股份有限公司（以下簡稱”中微公司” ，上交所股票代碼：688012 ）在SEMICON China 2021期間正式發布了新一代電感耦合等離子體（ICP）蝕刻設備Primo Twin-Star® ，用於IC元件前道和後道製程導電/介電質膜的蝕刻應用。
中微公司雙反應台電感耦合等離子體蝕刻設備Primo Twin-Star®
基於中微公司業已成熟的單台反應器電感耦合等離子體（ICP）蝕刻技術和雙台反應器Primo平台，Primo Twin-Star®為介電質前道/後道製程、多晶矽蝕刻、DTI和BSI蝕刻等提供了高性價比的蝕刻解決方案。它的創新設計包括：Primo Twin-Star®使用了雙反應台腔體設計和低電容耦合3D線圈設計，創新的反應腔設計可最大程度減弱非中心對稱抽氣口效應，通過採用多區溫控靜電吸盤（ESC）增強了對關鍵尺寸均勻性和重複性的控制。
憑藉這些優異的性能和其他特性，與其他同類設備相比，Primo Twin-Star®以更小的佔地面積、更低的生產成本和更高的輸出效率，進行ICP適用的邏輯和存儲晶元的介質和導體的各種蝕刻應用，並用於功率元件和CMOS影像感測器（CIS）的蝕刻應用。由於Primo Twin-Star®反應器在很多方面採取了和單台機Primo nanova®相同或相似的設計，在眾多的蝕刻應用中，Primo Twin-Star®顯示了和單台反應器相同的蝕刻結果。這就給客戶提供了高品質、高輸出和低成本的解決方案。
中微公司的Primo Twin-Star ®蝕刻設備已收到來自國內領先客戶的訂單。目前，首台Primo Twin-Star®設備已出貨客戶投入生產，良率穩定。公司還在進行用於不同蝕刻應用的多項評估。Primo Twin-Star®設備優化了中微公司電感耦合等離子體（ICP）蝕刻設備產品線。
“現在的製造商對於生產成本日益敏感，我們的目標是為客戶提供技術創新、高生產率和高性價比的ICP蝕刻解決方案。”中微公司集團副總裁兼等離子體蝕刻產品事業總部總經理倪圖強博士說道，”Primo Twin-Star®設備已在各類前道/後道製程、用於功率元件和CIS應用的深溝槽隔離蝕刻（DTI）中表現出卓越的性能。通過提供兼具這些優異性能和高性價比的解決方案，我們不僅幫助客戶解決了技術難題，同時最大程度地提升了其投資效益。”
Primo Twin-Star®是中微公司的註冊商標。
關於中微半導體設備（上海）股份有限公司
中微半導體設備（上海）股份有限公司（證券簡稱：中微公司，證券代碼：688012）致力於為全球積體電路和LED晶片製造商提供領先的加工設備和製程技術解決方案。中微公司開發的等離子體蝕刻設備和化學薄膜設備是製造各種微觀元件的關鍵設備，可加工微米級和奈米級的各種元件。這些微觀元件是現代數碼產業的基礎，它們正在改變人類的生產方式和生活方式。中微公司的等離子體蝕刻設備已被廣泛應用於國際一線客戶從65奈米到5奈米製程的眾多蝕刻應用，中微公司開發的用於LED和功率元件外延片生產的MOCVD設備已在客戶生產線上投入量產，目前已在全球氮化鎵基LED MOCVD設備市場佔據領先地位。
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