Western Digital 日前宣布，與合作夥伴鎧俠株式會社（Kioxia Corporation）聯手研發出第六代 162 層 3D 閃存技術。該項技術是雙方一同研發出的具備更高密度、更為先進的 3D 閃存技術，廣泛地運用了在技術與製造層面上的創新成果，也象徵着雙方 20 年深度合作的又一里程碑。
(新聞稿)
Western Digital 技術與戰略總裁 Siva Sivaram博士表示：「摩爾定律在目前半導體行業發展中已達到物理瓶頸，但依然適用於閃存領域上。為了持續推動技術的進步，滿足全球對數據儲存不斷增長的需求，在 3D 閃存領域實現擴展創新是非常重要。在新一代技術中，我們與鎧俠在縱向和橫向擴展方面都加入了創新的元素，讓層數更少、體積更小的晶圓達致更大的容量，以滿足用戶對性能、可靠性和成本的需求。」
鎧俠首席技術官 Masaki Momodomi 表示：「在 20 年的深入合作中，我們雙方都已經展示出了在製造和研發領域裡具備領先的能力。我們共同提供了全球 30% 以上的閃存儲存，並始終堅持以低成本為客戶提供具備卓越容量、性能和可靠性的解決方案。我們也將持續在一系列以數據為中心的應用中幫助推動這個目標，包括個人電子設備和數據中心應用，以及由 5G 網絡、人工智能和自動化系統推動的新興應用等。 」
以創新技術打造全新架構——超越垂直擴展
第六代 3D 閃存技術採用超越傳統八層交錯式儲存孔陣列的領先架構，其橫向單元陣列密度比第五代技術提高了約 10%。與 112 層堆疊技術相比，這種橫向擴展技術上的提升，結合 162 層堆疊式垂直儲存器，能夠使晶圓尺寸減小約 40%，從而降低了成本。
Western Digital 與鎧俠團隊亦採用了陣列 CMOS 電路佈局和四路同時操作，與上一代產品相比，程序性能可提高近 2.4 倍，讀取延遲減少約 10%，I/O 性能也提高了約 66%，令下一代接頭能夠滿足不斷增長的對更高傳輸速率的需求。
總體而言，與上一代產品相比，新的3D閃存技術降低了單位成本，並使每個晶圓的製造位增加了高達 70%。Western Digital 與鎧俠將持續推動創新，以確保達致持續擴展，從而滿足用戶及其多樣化應用的需求。
