Western Digital 夥 Kioxia 推六代 162 層 3D 閃存技術

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Western Digital 日前宣布,與合作夥伴鎧俠株式會社(Kioxia Corporation)聯手研發出第六代 162 層 3D 閃存技術。該項技術是雙方一同研發出的具備更高密度、更為先進的 3D 閃存技術,廣泛地運用了在技術與製造層面上的創新成果,也象徵着雙方 20 年深度合作的又一里程碑。

(新聞稿)

Western Digital 技術與戰略總裁 Siva Sivaram博士表示:「摩爾定律在目前半導體行業發展中已達到物理瓶頸,但依然適用於閃存領域上。為了持續推動技術的進步,滿足全球對數據儲存不斷增長的需求,在 3D 閃存領域實現擴展創新是非常重要。在新一代技術中,我們與鎧俠在縱向和橫向擴展方面都加入了創新的元素,讓層數更少、體積更小的晶圓達致更大的容量,以滿足用戶對性能、可靠性和成本的需求。」

鎧俠首席技術官 Masaki Momodomi 表示:「在 20 年的深入合作中,我們雙方都已經展示出了在製造和研發領域裡具備領先的能力。我們共同提供了全球 30% 以上的閃存儲存,並始終堅持以低成本為客戶提供具備卓越容量、性能和可靠性的解決方案。我們也將持續在一系列以數據為中心的應用中幫助推動這個目標,包括個人電子設備和數據中心應用,以及由 5G 網絡、人工智能和自動化系統推動的新興應用等。 」

以創新技術打造全新架構——超越垂直擴展

第六代 3D 閃存技術採用超越傳統八層交錯式儲存孔陣列的領先架構,其橫向單元陣列密度比第五代技術提高了約 10%。與 112 層堆疊技術相比,這種橫向擴展技術上的提升,結合 162 層堆疊式垂直儲存器,能夠使晶圓尺寸減小約 40%,從而降低了成本。

Western Digital 與鎧俠團隊亦採用了陣列 CMOS 電路佈局和四路同時操作,與上一代產品相比,程序性能可提高近 2.4 倍,讀取延遲減少約 10%,I/O 性能也提高了約 66%,令下一代接頭能夠滿足不斷增長的對更高傳輸速率的需求。

總體而言,與上一代產品相比,新的3D閃存技術降低了單位成本,並使每個晶圓的製造位增加了高達 70%。Western Digital 與鎧俠將持續推動創新,以確保達致持續擴展,從而滿足用戶及其多樣化應用的需求。